SiC silicon karbideigikoresho bivuga igikoresho gikozwe muri karubide ya silicon nkibikoresho fatizo.
Ukurikije imiterere itandukanye yo kurwanya, igabanijwemo ibikoresho bya silicon karbide ikora kandikarubide ya siliconIbikoresho bya RF.
Ibikoresho nyamukuru nibikoresho bya silicon karbide
Ibyiza byingenzi bya SiC hejuruIbikoresho bya Sini:
SiC ifite icyuho cyikubye inshuro 3 icya Si, gishobora kugabanya kumeneka no kongera kwihanganira ubushyuhe.
SiC ifite inshuro 10 gusenya imbaraga zumurima wa Si, irashobora kunoza ubucucike bwubu, inshuro ikora, kwihanganira imbaraga za voltage no kugabanya igihombo cyangiritse, bikwiranye na voltage nyinshi.
SiC ifite inshuro ebyiri umuvuduko wa electron yihuta ya Si, bityo irashobora gukora kumurongo mwinshi.
SiC ifite inshuro 3 ubushyuhe bwumuriro wa Si, imikorere myiza yo gukwirakwiza ubushyuhe, irashobora gushyigikira ingufu nyinshi kandi ikagabanya ubushyuhe bwo gukwirakwiza ubushyuhe, bigatuma igikoresho cyoroha.
Substrate substrate
Substructive substrate: Mugukuraho umwanda utandukanye muri kristu, cyane cyane umwanda uringaniye, kugirango ugere kumurwanya mwinshi wa kirisiti.
Imyitwariresilicon karbide substrateSiC wafer
Imashanyarazi ya silicon carbide yamashanyarazi ni mukuzamuka kwa silicon carbide epitaxial layer kuri substrate ya substrate, urupapuro rwa epitaxial ya silicon karbide iratunganywa, harimo no gukora diode ya Schottky, MOSFET, IGBT, nibindi, cyane cyane bikoreshwa mumodoka, amashanyarazi, amashanyarazi. ibisekuruza, inzira ya gari ya moshi, ikigo cyamakuru, kwishyuza nibindi bikorwa remezo. Inyungu zo gukora ni izi zikurikira:
Kuzamura umuvuduko ukabije. Amashanyarazi yamashanyarazi imbaraga za karubide ya silicon yikubye inshuro zirenga 10 iya silikoni, ibyo bigatuma umuvuduko ukabije wibikoresho bya karubide ya silicon biruta cyane ibyo bikoresho bya silikoni bihwanye.
Ibyiza biranga ubushyuhe bwo hejuru. Carbide ya Silicon ifite ubushyuhe bwinshi burenze silikoni, ituma ibikoresho bigabanuka ubushyuhe bworoshye kandi ubushyuhe bwo gukora bukaba hejuru. Kurwanya ubushyuhe bwinshi birashobora gutuma habaho kwiyongera gukabije kwingufu zamashanyarazi, mugihe kugabanya ibisabwa kuri sisitemu yo gukonjesha, kugirango itumanaho rishobora kuba ryoroshye kandi rito.
Gukoresha ingufu nke. Device Igikoresho cya karbide ya silicon ifite bike cyane kubirwanya no gutakaza igihombo; . No Nta kintu na kimwe kidasanzwe kiri murwego rwo kuzimya ibikoresho bya karibide ya silicon, kandi igihombo cyo guhinduranya ni gito, bitezimbere cyane guhinduranya inshuro zifatika.
Semi-insuline ya SiC substrate
Semi-insulasi ya SiC: N doping ikoreshwa mugucunga neza ibicuruzwa birinda ibintu muguhuza isano iri hagati ya doping ya azote, umuvuduko wubwiyongere hamwe no kurwanya kristu.
Ubuziranenge bwo hejuru igice-gikingira ibikoresho
Ibikoresho bya RF byifashishwa na silicon karubone ikorwa no gukura kwa gallium nitride epitaxial layer kuri sisitemu ya kariside ya silicon karbide yo munsi kugirango itegure urupapuro rwa epicaxial silicon nitride, harimo HEMT nibindi bikoresho bya gallium nitride RF, bikoreshwa cyane cyane mu itumanaho rya 5G, itumanaho ry’imodoka, porogaramu zo kwirwanaho, kohereza amakuru, ikirere.
Igipimo cyuzuye cya elegitoronike ya carbide ya silicon hamwe na nitride ya gallium yikubye inshuro 2,2 na 2,5 za silikoni, bityo rero inshuro zikoreshwa za karibide ya silicon hamwe na nitride ya gallium iruta iy'ibikoresho gakondo bya silikoni. Nyamara, ibikoresho bya gallium nitride bifite imbogamizi zo kurwanya ubushyuhe buke, mugihe karbide ya silicon ifite imbaraga zo guhangana nubushyuhe hamwe nubushyuhe bwumuriro, ibyo bikaba bishobora kuzuza ubushyuhe buke bwibikoresho bya nitride ya gallium, bityo inganda zifata karubide ya silicon ikingira igice nka substrate , na gan epitaxial layer ihingwa kuri silicon karbide substrate kugirango ikore ibikoresho bya RF.
Niba hari ihohoterwa, hamagara gusiba
Igihe cyo kohereza: Nyakanga-16-2024